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美國ITC正式對絕緣體上硅晶片啟動337調(diào)查

信息來源:中國貿(mào)易救濟信息網(wǎng)    發(fā)布日期:2016-11-02    閱讀:3668次
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  2016年10月19日,美國國際貿(mào)易委員會(ITC)投票決定對部分絕緣體上硅晶片(certain silicon-on-insulator wafers)啟動337調(diào)查(調(diào)查編號:Inv. No. 337-TA-1025)。
  2016年5月26日,美國Silicon Genesis Corporation向美國ITC提出337立案調(diào)查申請,并且于2016年10月3日和10月7日補充了其立案申請內(nèi)容,主張對美出口和在美銷售的部分絕緣體上硅晶片侵犯了其專利權(quán)(美國專利注冊號:6458672和6171965),請求美國ITC發(fā)布有限排除令和禁止令。
  美國最終將以下企業(yè)作為指定應(yīng)訴方:法國Soitec, S.A.。
  美國貿(mào)易委員會將于立案后45天內(nèi)確定調(diào)查結(jié)束期。除美國貿(mào)易代表基于政策原因否決的情況外,美國國際貿(mào)易委員會在337案件中發(fā)布的救濟令自發(fā)布之日生效并于發(fā)布之日后的第60日起具有終局效力。

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